RICOH理光二三極管回收如受金屬污染的柵氧化層,漏電流會增大,良率降低污染的膜層在酸槽中刻蝕,會二次污染酸槽;污染的膜層也有可能直接或分解成有害副產物阻止下一個沉積膜對晶片的很好粘附,造成脫落;甚至在無氧環(huán)境下加熱,有機膜殘渣碳化,或將與硅反應在晶片L形成化硅(SiC)缺陷區(qū)。
一般講,顆粒尺寸如果超過器件小特征尺寸的50%,就有導致器件失效的可能。芯片污染膜在很多方面影響集成電路的正常加工和器件性能。金屬和離子污染會引起有關器件操作方面的問題。在爐管制程時,金屬污染物(如鐵和銅)在硅中擴散極快,假如它們由晶片表面進人硅基材,會導致器件性能降低,如少數(shù)載流子壽命降低和PN結附漏電流增大。
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