回收DDR4存儲器芯片 回收DDR5顆粒而ddr4運作電壓僅1.2v,比ddr3的1.5v低了至少20 ,也比ddr3l的1.35v還低,更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v還要低,再加上ddr4一次支援 省電技術(shù)(deep power down),進入休眠模式時無須更新存儲器,或僅直接更新dimm上的單一存儲器顆粒,減少35 ~50 的待機功耗。
將來邁入20 制程時,會導入3d立體堆疊加矽鉆孔(3d stacks+tsv)封裝技術(shù),以及針對繪圖芯片、移動設備提出低腳位數(shù)的wide i/o,來提升dram存儲器單位容量與頻寬。
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