回收MPS同步降壓轉(zhuǎn)換器DC-DC芯片 由于3d nand flash存儲(chǔ)器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升,要比以往2d平面nand flash需要更長(zhǎng)時(shí)間,且在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗(yàn)證流程上也相當(dāng)耗時(shí),故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主,對(duì)整個(gè)移動(dòng)設(shè)備與儲(chǔ)存市場(chǎng)上的替代效應(yīng),在明年底以前應(yīng)該還看不到。
移動(dòng)設(shè)備的快閃存儲(chǔ)器容量、速率進(jìn)展
移動(dòng)設(shè)備所需要的gb儲(chǔ)存容量,據(jù)估計(jì)每部手機(jī)搭配的nand flash容量,將從2012年5.5gb增加到2015年的25.1gb;每部平板電腦搭配nand flash容量,從28.7gb增加到2015年的96.1gb。
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